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2SK1835-E中文资料

2SK1835-E图片

2SK1835-E外观图

  • 大小:105.71KB
  • 厂家:RENESAS [Renesas Technology Corp]
  • 描述:Silicon N Channel MOS FET
  • 现有数量:12,224现货
  • 价格:1 : ¥76.64000管件
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):1500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7 欧姆 @ 2A,15V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1700 pF @ 10 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):125W(Tc)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-3P
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包

2SK1835-E供应商

更新时间:2023-01-04 02:18:46
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